RN8209单相计量芯片直流测量说明

1. 软件配置及校表流程

使用 RN8209G 新版/RN8209C/RN8209D 等实现直流测量，与交流测量的不同点在于需要增加直流偏置校正，校正步骤如下：

? 寄存器配置：

SYSCON 中 BIT[1:0]、BIT[3:2]、BIT[5:4]写入 0，配置三路 ADC 为 1 倍增益；

EMUCON 中将 IA/IB/U 三路的 ADC 的高通使能关闭，BIT[14]、BIT[6:5]配置为 1；

? 输入接地，读 IA、IB、U 三路的有效值 10 次，计算有效值的平均值 IARMS、IBRMS、URMS；

? 将 IARMS1 有效值的 BIT[23:8]写入 DCIAH 寄存器，BIT[7:4]写入 DCL 寄存器的BIT[3:0]，将 IBRMS1 有效值的 BIT[23:8]写入 DCIBH 寄存器，BIT[7:4]写入 DCL 寄存器的BIT[7:4]，将 URMS1 有效值的 BIT[23:8]写入 DCUH 寄存器，BIT[7:4]写入 DCL 寄存器的BIT[11:8]；

? 等待 2S 后读 IA、IB、U 三路的有效值 10 次，计算有效值的平均值 IARMS2、IBRMS2、URMS2，若有效值相对于未校正前变小，则校正完成，若值变大为原来的约为 2 倍，则需继续进行下一步操作；

? 将 IARMS1 取反得到 IARMS3，将 IARMS3 的 BIT[23:8]写入 DCIAH 寄存器，BIT[7:4]写入 DCL 寄存器的 BIT[3:0]，将 IBRMS1 取反得到 IBRMS3，将 IARMS3 的 BIT[23:8]写入 DCIBH 寄存器，BIT[7:4]写入 DCL 寄存器的 BIT[7:4]，将 URMS1 取反得到 URMS3，将 IARMS3 的 BIT[23:8]写入 DCUH 寄存器，BIT[7:4]写入 DCL 寄存器的 BIT[11:8]；校正完成；

? 等待 2S，在 IA、IB、U 输入相应的信号，读取三路 ADC 的有效值和 A/B 功率寄存器值。

? 调整 Hfconst 的值，使输入为 Ib（75mV）时的 PF 脉冲输出频率为 10Hz，以 Ib 为基准计算误差。采用频率计测量 PF 的脉冲输出频率。

2. 实测结果

2.1 有效值测试

基本误差(额定工作条件)

零位误差

额定工作条件下，零位误差如下

IA: 30μV

IB: 22μV

U: 26μV

2.2 功率测试

基本误差(额定工作条件)

2.3 能量（脉冲频率）测试

基本误差(额定工作条件)

RN8209C-D直流测试应用笔记V1.0直流电能表.pdf